本論文利用溶膠凝膠法在鍍有Pt下電極之矽基板上成長無鉛非當量鈮酸鈉鉀薄膜(NKN-based)，透過不同RTA退火溫度及高溫爐溫度調控，搭配XRD、XRR、SEM、XPS、J-E、εr、tanδ、室溫P-E及變溫P-E等量測，試圖找出較有利於鐵電記憶體的製程溫度條件，並且利用額外摻雜適量Li元素進入NKN結構的方式，改善薄膜之微結構並提升其電特性，進一部探討對於鐵電記憶體之影響。
從本研究可知，隨著RTA退火溫度逐漸提高，特性有所提升，主要是因為薄膜結晶性變好、緻密性變高，而當RTA溫度達 750 oC並利用高溫爐燒結800 oC後，可以獲得最佳的電特性如下，漏電流:7.64 × 10-10 A/cm2 (0 kV/cm)、4.30 × 10-8 A/cm2 (100 kV/cm)，介電常數:776 (100 kHz)，介電損耗:0.04 (100 kHz)；室溫電滯曲線量測之殘餘極化量最高達8.2 μC/cm2 (±400 kV/cm)，memory window最大為372 kV/cm (亦為3.72 V)，此外經過約108次循環量測都沒有明顯的特性損耗；疲勞特性量測發現在實際工作環境下(<100 oC)，NKN材料穩定性良好，仍可達約106次循環。
另外，藉著添加少量的Li，填補鈉鉀高溫下揮發的空缺，提升薄膜電特性如下，漏電流降低至1.24 × 10-10 A/cm2 (0 kV/cm)、3.90 × 10-8 A/cm2 (100 kV/cm)，100 kHz下之介電常數及介電損耗分別提升至786、降低至0.02；室溫下量測之電滯曲線殘餘極化量提升至11.8 μC/cm2 (±400 kV/cm)，memory window提升至393 kV/cm (亦為3.93 V)，循環量測次數也提升至約3×108次；疲勞特性量測相較於NKN，在<100 oC下之穩定性有提升，可達約107次循環。